製品情報

ライフタイム測定装置　LTA Series

製品名 ライフタイム測定装置
型式 LTA Series

概要

本製品は、極薄SOI/エピ/バルクウェーハやポリシリコン層の汚染・欠陥評価に威力を発揮します。
ライフタイムは、試料に混入した汚染や結晶欠陥等を鋭敏に反映する重要なパラメータです。

特長

・レーザにより試料に注入したキャリアの時間的変化を、マイクロ波の反射パワーで
検出（μ-PCD法）
・紫外レーザを搭載し数10nm厚の極薄膜試料（SOIウェーハ、表示パネル用ポリ
シリコン膜等）やワイドバンドギャップ半導体（SiC、GaN等）の評価が可能
・CZ/FZウェーハ等のバルクライフタイム測定は、社団法人電子技術産業協会規格に
準拠（JEIDA-53）
・差動μ-PCD法を用いることにより、低抵抗率基板を有するエピ/拡散ウェーハの
ライフタイムを測定可能
・光反射により、鉄-ボロンペアを格子間鉄に解離させ、照射前後のライフタイムから
鉄濃度を算出可能
・コロナ放電で生成したイオンをウェーハ表面にデポすること により、バルクのライフ
タイムを測定可能
・注入キャリア密度を変化させながらライフタイムを測定する ことにより、酸化膜/
シリコン界面のトラップ準位密度（Dit）を 評価可能
・大口径300mmウェーハに対応可能（FOUP/OPEN）。

その他

・Si / SiC：バルク、エピ、エピサブ、SOIウェーハの研磨・ 洗浄・酸化・拡散工程等での汚染・欠陥の把握
・エピ炉の 管理、入出荷検査など
・表示パネル：低温ポリシリコン薄膜の粒径モニタ、ELA のエネルギー・照射周期の調整など