概要

次世代パワー半導体（SiC、GaN）でも簡単に試作

パワーエレクトロニクス機器は、パワー半導体素子をスイッチとして使用し、そのオン・オフを高速に切り替えることによって電圧、電流、周波数などを負荷となる機器や状況に合わせて制御する技術です。パワーエレクトロニクス技術によって高効率に電力変換を行うことが可能となるため、近年の電動化や脱炭素化の潮流の中で注目されています。 パワーエレクトロニクス応用機器の開発では、センサ情報を高速・高精度に取得し、取得した情報をマイコンで処理し、スイッチング素子を高度に制御するといった複合技術が必要とされます。また、パワー半導体スイッチのオン・オフを高速に切り替えるために、ノイズが多く発生するため、ノイズ対策や最適なフィルタの設計が欠かせません。 一方、製品開発の際には、原理試作、量産試作などのステップを通りながら製品化を実現しますが、パワーエレクトロニクスが複合技術であるために高い技術力を持つエンジニアが必要であり、開発を実施するにあたっても１次試作、２次試作とそのコストと時間が大きく負担となります。 そこで、ヘッドスプリングは「パワーエレクトロニクスにおける開発を少しでも早くするためにどうすればよいか？」という課題に着目しました。

製品開発に必要なフェーズの短縮

ヘッドスプリングでは、パワーエレクトロニクスのハードウェア・ソフトウェア開発において、ラピッドプロトタイピングを実現する製品群「biRAPID」をご用意しました。この「biRAPID」を用いて、企画・設計・試作のサイクルを高速化すれば、製品の市場投入までのリードタイムを大幅に短縮できます。

特長

パワーエレクトロニクスの製品やシステムは、変換器、コントローラ、センサなどのパーツで構成されます。それぞれのパーツで、エンジニアの異なる悩みがあります。
これらの悩みを解決するために、ヘッドスプリングはパワーエレクトロニクスを構成する要素を各パーツに分割し、それをラピッドプロトタイピングツール「biRAPID」として提供します。
自分の欲しいところのパーツの「biRAPID」を購入することで、１つでも多くのステップを簡単かつ素早く乗り越えることができます。

主な仕様

変換器回路セット
　- GaN三相インバータ実験セット
　- SiC三相インバータ実験セット
変換器回路
　- GaN三相インバータ（三相インバータ回路）
　- SiC三相インバータ（三相インバータ回路）
　- GaN回路ブロック（ハーフブリッジ回路）
　- SiC Hブリッジ回路ブロック（Hブリッジ回路）
センサ基板
　- 電圧センサボード
　- 電流センサボード
信号変換基板
　- 光-電気 変換ボード
　- 電気-光 変換ボード
コントローラ基板
　- パワエレ開発用コントローラ
　- 多ゲートコントローラ
ソフトウェア開発
　- パワーエレクトロニクス開発用キット

その他

メーカー基本情報