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MRAM(磁気抵抗メモリ)

製品名
MRAM(磁気抵抗メモリ)
メーカー
NETSOL
メーカーロゴ

概要

NETSOLは、2010年設立の韓国発ファブレス半導体メーカーであり、STT-MRAMを中心とした次世代不揮発性メモリ技術の開発・提供を行っています。 高速・低消費電力・高耐久を特徴とするメモリ製品を、産業機器やIoT、医療・ネットワーク機器向けに提供しており、グローバルな流通・サポート体制も展開しています。


特長

書き換え回数 1014回(事実上無制限)
データ保持時間 20年 @85℃環境下
10年 @105℃環境下
(55℃環境下では1000年以上)
小型・低消費電力 「SRAM+電池」をMRAM 1つで実現可能
ECC(エラー訂正機能) 内蔵ECC(外部ECC不要)

STT-MRAMとは

NETSOLのMRAMは世界最新型のSTT構造です。
電子スピンによって磁性体層の磁気を反転させる構造で、この電子スピンを利用しないToggle-MRAMと比べ低消費電力を実現します。

Toggle vs STT-MRAM.jpg


他メモリとの比較

各メモリの特長や違いを整理し、用途に応じた選定の参考としてご確認いただけます。

現在のメモリ構成に課題はありませんか?

  • SRAM+電池構成では、電池の寿命管理や保守負担が課題となる場合があります。
  • FRAMでは、容量や仕様面で制約が生じるケースもあります。

👉これらの課題から、SRAM+電池やFRAMからMRAMへの置き換えが進んでおります。

SRAM+電池やFRAMからの置き換え、新規設計でのMRAM選定に対応可能です。
他のメモリをご使用の場合でも、お気軽にご相談ください。

相談をする

※ 検討初期・情報収集段階でのご相談も歓迎しております。

製品ラインナップ

Serial STT-MRAM.png


Parallel STT-MRAM.png

パッケージ・Pin仕様

各パッケージで対応しているPin仕様は以下です。

Serial STT-MRAM

Pin配置.jpg

Parallel STT-MRAM(×8/IO)

PPI-Package(×8).jpg


Parallel STT-MRAM(×16/IO)

PPI-Package(×16).jpg

PPI-Package(×16)_54pin.jpg

お問い合わせ

不明点やご質問等ございましたら以下よりお問い合わせください。
当社製品担当者より回答させていただきます。