製品情報
MRAM（磁気抵抗メモリ）
| 製品名 | MRAM（磁気抵抗メモリ） |
|---|---|
| メーカー | NETSOL |
| メーカーロゴ |  |
| メーカーサイト | メーカー製品サイトはこちら |
| 資料 |
概要
NETSOLは、2010年設立の韓国発ファブレス半導体メーカーであり、STT-MRAMを中心とした次世代不揮発性メモリ技術の開発・提供を行っています。 高速・低消費電力・高耐久を特徴とするメモリ製品を、産業機器やIoT、医療・ネットワーク機器向けに提供しており、グローバルな流通・サポート体制も展開しています
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特長
| 書き換え回数 | 1014回（事実上無制限） |
| データ保持時間 | 20年 ＠85℃環境下 10年 ＠105℃環境下 (55℃環境下では1000年以上） |
| 小型・低消費電力 | 「SRAM＋電池」をMRAM 1つで実現可能 |
| ECC（エラー訂正機能) | 内蔵ECC（外部ECC不要） |
STT-MRAMとは
NETSOLのMRAMは世界最新型のSTT構造です。
電子スピンによって磁性体層の磁気を反転させる構造で、この電子スピンを利用しないToggle-MRAMと比べ低消費電力を実現します。
製品ラインナップ
パッケージ・Pin仕様
各パッケージで対応しているPin仕様は以下です。
□ Serial STT-MRAM
□ Parallel STT-MRAM（×8/IO）
□ Parallel STT-MRAM（×16/IO）
お問い合わせ
不明点やご質問等ございましたら以下よりお問い合わせください。
当社製品担当者より回答させていただきます。